Analogni pomnilnik ETCRAM za ekstremne pogoje

Ekipa raziskovalcev pod vodstvom Elliota Fullerja in Aleca Talina iz laboratorija Sandia National Laboratories preizkuša nov pristop k shranjevanju podatkov. Njun izum, imenovan ETCRAM (Electro-Thermo-Chemical Random-Access Memory), informacije zapisuje s pomočjo električnih impulzov in lokalizirane toplote. Z uporabo tantala in vanadijevega oksida je raziskovalcem uspelo ustvariti napravo, ki omogoča shranjevanje analognih vrednosti z izjemno natančnostjo ter z razponom, ki je za tri rede velikosti večji od dosedanjih tehnologij.

Princip delovanja lahko primerjamo z delovanjem baterije. Če baterijo napolnimo do 50 odstotkov in polnjenje ustavimo, to natančno določeno stanje ostane shranjeno. Pri pomnilniku ETCRAM se to specifično stanje opredeljuje kot shranjena informacija. Ključ do hitrega delovanja in visoke natančnosti je v samodejnem segrevanju elementa med elektrokemijskim procesom, kar občutno pospeši sam postopek zapisovanja.

Ena od glavnih prednosti tehnologije ETCRAM je njena visoka odpornost na ekstremne temperature in vesoljsko sevanje. Zaradi teh lastnosti je pomnilnik nedvomno zanimiv za uporabo v satelitih ter zahtevnih industrijskih okoljih, kjer klasični čipi hitro odpovedo. Poleg uporabe v vesolju raziskovalci vidijo velik potencial v robnem računalništvu, kjer bi mikroprocesorji izvajali obdelavo podatkov neposredno ob senzorjih, kot na primer v kamerah pametnih telefonov ali avtomobilskih sistemih, kar bi zmanjšalo porabo energije.

Tehnologija ETCRAM je trenutno še vedno v zgodnji fazi razvoja, največji izziv pa ostaja njena skalabilnost. Trenutni delujoči prototip je v primerjavi z današnjimi grafičnimi procesorji zelo majhen, zato bo morala ekipa kapaciteto povečati na milijone elementov ter komponente zmanjšati na nanometrsko raven, da bo naprava lahko konkurenčna na trgu.