Novi pomnilnik SanDisk 3D Matrix Memory prinaša štirikrat večjo kapaciteto po polovični ceni

Inženirji podjetja SanDisk so dosežek z novimi pomnilniki označili za majhen, a izjemno pomemben korak naprej. Novi pomnilniški čipi so namreč že izdelani in pripravljeni za nadaljnja testiranja, preizkusi pa kažejo, da so zmožni shranjevati več gigabitov podatkov. Poleg tega se njihova zmogljivost močno približuje ciljnim specifikacijam, predvidenim za končni izdelek.

Glavna prednost tehnologije 3D Matrix Memory tiči v njeni tridimenzionalni zgradbi. V primerjavi s konvencionalnim pomnilnikom DRAM bi lahko ta novost ponudila do štirikrat večjo kapaciteto ob enaki hitrosti delovanja, pri čemer naj bi se strošek na bit podatkov prepolovil. Najnovejši prototipi temeljijo na preizkusnem konceptu, ki ga je podjetje SanDisk razvilo v sodelovanju z raziskovalnim partnerjem Imec, sedaj pa so uspešno začeli z nalaganjem več pomnilniških plasti druge na drugo.

Tehnologija je trenutno še vedno v fazi raziskav in je od komercialne uporabe oddaljena še kar nekaj let. Tehnični direktor podjetja Alper Ilkbahar je opozoril, da gre za dolgoročni projekt bez natančno določenih časovnih terminov. Čeprav so prejšnji načrti omenjali vzorce kapacitete od 32 do 64 Gbit, trenutni načrti razvoja ne ponujajo konkretnih kapacitet.

Podjetje SanDisk hkrati vzporedno razvija še eno napredno pomnilniško tehnologijo, imenovano High Bandwidth Flash (HBF). Za razliko od arhitekture 3D Matrix Memory, ki predstavlja povsem nov koncept, HBF preprosto sklada klasične čipe NAND za doseganje višjih prepustnih hitrosti. Ta projekt je komercializaciji bistveno bližje. Prva zasnova HBF je že zaključila fazo oblikovanja, prvi preizkusni vzorci pa bodo za potrditev delovanja na voljo v prihodnjem letu.