Intel razvil prelomne tranzistorske tehnologije

Intel je odkril nove materiale za proizvodnjo čipov. Ti bodo zamenjali dosedanje, ki so v uporabi že več kot 30 let. Prelomni dosežek je pomemben korak pri prizadevanjih za zmanjševanje uhajanja električne energije v tranzistorjih.
Uhajanje energije postaja vedno bolj pereč problem, ko proizvajalci vgrajujejo
vedno več tranzistorjev na majhne kose silicija. Intelovi raziskovalci so speli razviti rekordno zmogljive tranzistorje iz novega materiala, imenovanega high-k, in novih kovinskih materialov za tranzistorska vrata. Novi materiali pomembno zmanjšajo uhajanje električne energije, ki krni trajanje baterij in ustvarja nezaželeno toploto. Material high-k zmanjša uhajanje za več kot 100-krat v primerjavi s silicijevim dioksidom.

Več o tem na naslovu http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20031105tech.htm

Tranzistorji so vse bolj dodelani..