Samsung P-RAM

Inženirji podjetja Samsung so na področju pomnilniških modulov naredili odločen korak naprej. Izdelali so namreč prvi prototip pomnilnika P-RAM (Phase-change Random Access Memory), ki lahko sprejme do 512 Mbitov podatkov. Novinec naj bi v bližnji prihodnosti iz svetovnega trga izpodrinil statične pomnilniške elemente, saj ga odlikujeta hiter zapis podatkov in dolga življenjska doba. P-RAM lahko namreč prepisuje podatke do 30-krat hitreje od klasičnih pomnilnikov (ne potrebuje predhodnega brisanja shranjene vsebine) in ima do 10-krat daljšo življenjsko dobo. Novi pomnilniški element pri shranjevanju podatkov potroši zanemarljivo količino električne energije, kar je pisano na kožo prenosnim napravam. Samsung bo prve primerke P-RAM pomnilnikov pripeljal na trg leta 2008.

Bo P-RAM postal pomnilnik prihodnosti?