Hitri Intel PRAM

Inženirji podjetja Intel so na področju pomnilniških modulov naredili odločen korak naprej. Izdelali so namreč prvi delujoči prototip pomnilnika PRAM (Phase-change Random Access Memory) kapacitete 128 megabitov. Novinec naj bi v bližnji prihodnosti iz svetovnega trga izpodrinil statične pomnilniške elemente, saj ga odlikujeta hiter zapis podatkov in dolga življenjska doba. Intel PRAM prepisuje podatke do 1.000-krat hitreje od klasičnih pomnilnikov (ne potrebuje predhodnega brisanja shranjene vsebine), kar je pisano na kožo predvsem dlančnikom in mobilnim telefonom. Pomnilniški medij pri shranjevanju podatkov porabi zanemarljivo količino električne energije. Intel PRAM lahko prepišemo do 100-milijonkrat, medtem ko se shranjeni podatki ohranijo do 10 let. Procesorski gigant bo novi pomnilniški medij ponudil v prodajo proti koncu letošnjega leta.

Bo Intelov PRAM postal pomnilnik prihodnosti?