Samsung je izdelal prvi 4-GB DDR3 čip

V četrtek 29. januarja je korejski gigant Samsung objavil, da jim je uspelo proizvesti prvi 4-GB DDR3 čip. Čip je narejen v 50-nm proizvodni tehnologiji in je naslednik 2-GB modela, ki je bil prvič napovedan že v lanskem septembru. Zaradi zmanjšane porabe, ki zdaj znaša samo 1,35 V na modul, so ti v prvi vrsti namenjeni novi generaciji “zelenih” strežniških sistemov. V primerjavi s prejšnjo generacijo, ki je delovala pri 1,5 V, jim je tako uspelo za 20 % znižati porabo električne energije. To naj ne bi zmanjšalo samo stroškov za elektriko, pač pa tudi stroške vzdrževanja ter montaže – zmanjšali naj bi se tudi stroški za popravila in vzdrževanje napajalnih sistemov in sistemov za odvajanje toplote.

Z uporabo novih čipov lahko proizvedejo spominske module do kapacitete 32 GB, kar je dvakrat več, kot pri prejšnjem modelu gostote 2 GB. Po napovedih naj bi se količina spomina na strežnik podvojila vsaki dve leti. Pričakuje pa se, da bo temu z višanjem gostote sledil tudi razvoj čipov DRAM in trend povečevanja spomina prenesel iz strežniških sistemov tudi na prenosne in namizne (desktop) računalnike.