Huawei z novo tehnologijo “zlaganja” napoveduje lov na 1,4-nanometrski proces

Podjetje Huawei v proizvodnji procesorjev še vedno opazno zaostaja za vodilnimi svetovnimi proizvajalci, kot so TSMC, Samsung Foundry in Intel. Čeprav bo ta tehnološki razkorak ostal opazen še nekaj časa, pa naj bi se razmere kmalu spremenile. Podjetje Huawei je namreč uradno napovedalo ambiciozen dolgoročni načrt, po katerem namerava do leta 2031 neposredno konkurirati TSMC-jevemu naprednemu 1,4-nm proizvodnemu procesu. Čeprav bo podjetje takrat predvidoma še vedno zaostajalo za približno eno generacijo, bi morala biti ta raven integracije povsem dovolj, da kitajski tehnološki ekosistem ohrani polno konkurenčnost z zahodnimi tekmeci.

Za dosego tega preboja namerava Huawei uporabiti tehnologijo, ki jo imenuje »zlaganje logike« . Gre za nadgradnjo obstoječih metod tridimenzionalnega zlaganja, pri kateri se dva čipa namestita neposredno drug na drugega. S tem postopkom se na enaki površini silicijeve rezine doseže znatno večja gostota tranzistorjev, ne da bi bilo za to potrebno drobnejše vzorčenje. Slednje namreč zahteva napredna orodja EUV (ekstremna ultravijolična litografija), do katerih Kitajska v tem trenutku nima dostopa. Po uradnih navedbah bo naslednja generacija procesorjev Kirin 2026 med prvimi komercialno dostopnimi čipi, ki bodo izkoriščali prednosti tega pristopa.

Kljub trenutnim omejitvam naj bi Kitajska s pomočjo nekdanjih ASML-ovih inženirjev že zgradila delno delujoč EUV stroj. Naprava trenutno še ni pripravljena za proizvodnjo, vendar naj bi postala popolnoma funkcionalna do leta 2031. V kombinaciji s Huaweievimi obstoječimi prizadevanji za preboj 2 nm meje s tehnikami, kot je SAQP (samoporavnano četverno vzorčenje), bi to moralo omogočiti Huaweiu in SMIC-u uspešno premagovanje 5-nm pregrade in izdelavo še gostejšega silicija.

Zanimivo pa je, da se Huawei pri predstavitvi ni dotaknil ključne težave tovrstne zasnove, in sicer hlajenja. Vertikalno zlaganje več čipov drug na drugega bo namreč ustvarilo bistveno več toplote kot običajni enoplastni dizajni.