Hibridni silicijski laser

Raziskovalci podjetja Intel in kalifornijske univerze v Santa Barbari (UCSB) so razvili prvi električni hibridni silicijski laser s pomočjo standardnega postopka izdelave silicija. S tem izjemnim dosežkom je odstranjena še zadnja velika ovira za proizvodnjo cenejših silicijskih fotonskih naprav, ki bodo lahko obdelale velike količine podatkov in se bodo v prihodnosti uporabljale v računalnikih in podatkovnih centrih.

Raziskovalcem je uspelo na enem hibridnem čipu združiti lastnosti indijevega fosfida, ki oddaja svetlobo, in silicija, ki jo usmerja. S priključitvijo čipa na električno napetost indijev fosfid ustvarja svetlobo, ki vstopi v silicijski svetlovod in ustvari neprekinjen laserski žarek, slednji se lahko uporabi za pogon drugih silicijskih fotonskih naprav. Zaradi izjemno nizke cene, ki jo omogoča množična proizvodnja silicija, bi lahko silicijski laser sprožil široko uporabo optičnih čipov v računalnikih.

“Na ta način lahko v računalnikih prihodnosti ustvarimo poceni optične vode za podatke terabitne prepustnosti. To bo verjetno začetek nove dobe visoko učinkovitih računalniških aplikacij,” je povedal Mario Paniccia, direktor Intelovih laboratorijev Photonics Technology Lab. “Čeprav smo še daleč od tega, da postanejo hibridni silicijski laserji komercialni izdelek, verjamemo, da je lahko na enem silicijskem čipu, skupaj z drugimi silicijskimi fotonskimi napravami, integriranih nekaj deset ali več sto hibridnih silicijskih laserjev.”

Ta tehnologija bi lahko rešila problem povezovanja velikega števila optičnih vodov na silicijski platformi. Uspešno narejen hibridni silicijski laser zato označuje začetek razvoja visoko integriranih silicijskih optičnih čipov, ki jih lahko proizvajajo v velikem številu in po nizki ceni.