Prihaja SuperFlash tretje generacije

Podjetji SST (Silicon Storage Technology) in PSC (Powerchip Semiconductor Corporation) sta objavili novico o skupnem projektu izdelave novega SuperFlash pomnilnika, ki bo že na začetku grajen v skrajno majhni 0,11µ arhitekturi, kasneje pa načrtujejo celo 65-nanometrsko gradnjo. SuperFlash nove generacije z NOR vrati naj bi tako omogočil precej večjo gostoto zapisa in kasneje povsem nadomestil standardni flash pomnilnik, osnovan na NAND vratih. Masovno proizvodnjo 2-gigabitnega pomnilnika načrtujejo za leto 2005. SST-jev SuperFlash ima že zdaj veliko kupcev, med njimi so znana imena kot IBM, Motorola, NEC, Samsung in Toshiba, za prihodnost pa napovedujejo, da bo trg s flash pomnilniki postal celo večji od trga pomnilnikov DRAM. Podjetje PSC je trenutno največji proizvajalec DRAM-ov na Tajvanu, od sodelovanja s podjetjem SST pa pričakujejo, da se bodo povzpeli med prve štiri proizvajalce na svetu.