Mooreov zakon ostaja v veljavi

Intel je dosegel pomemben mejnik v tehnologiji proizvodnje naslednje generacije mikroprocesorjev. Z uporabo najnaprednejše 65-nanometrske proizvodne tehnologije je proizvedel 70-megabitne delujoče statične pomnilnike SRAM, ki vsebujejo več kot pol milijarde tranzistorjev. Ta dosežek je v skladu z Intelovim ciljem razvoja nove tehnologije proizvodnje vsaki dve leti, kar omogoča nadaljnje sledenje Moorovem zakonu.
Tranzistorji, proizvedeni z novo 65-nm tehnologijo (nanometer je milijardni delec
metra), imajo vrata (stikala, ki vklapljajo in izklapljajo tranzistor) velikosti
35 nm, in so torej za približno 30 odstotkov manjša kot vrata v starejši, 90-nm
tehnologiji. Za primerjavo; približno 100 takšnih vrat predstavlja premer enega
človeškega rdečega krvnega telesca.
Nova tehnologija proizvodnje omogoča povečanje števila tranzistorjev na procesorju, kar daje Intelu možnost za razvoj in proizvodnjo procesorjev z več jedri ter dodajanje novih zmogljivosti v bodoče izdelke, vključno z virtualizacijo in varnostnimi zmožnostmi. Intelova nova 65-nm tehnologija proizvodnje vključuje tudi več novosti za zmanjševanje porabe energije in izboljšanje delovanja.
Novembra 2003 je Intel objavil, da je izdelal 4-megabitni pomnilnik SRAM s 65-nm proizvodnim postopkom. Od takrat je podjetje s tem postopkom izdelal povsem delujoče 70-megabitne pomnilnike SRAM s površino procesorja le 110 mm2.
Intel je v 65-nm pomnilnik SRAM vgradil tudi t.i. “speče tranzistorje”. Speči
pomnilniki izključijo dobavo električnega toka v večje kose pomnilnika SRAM,
ko niso v uporabi, kar znatno zmanjša porabo energije procesorja. Ta lastnost
je posebej uporabna v napravah, kot so prenosniki, ki jih napajajo akumulatorji.
Intelove naprave s 65-nm polprevodniki so bile izdelane v njihovi razvojni tovarni,
imenovani D1D v Hillsboru v Oregonu, kjer so tudi razvili ta postopek.