Fujitsu izpopolnil FeRAM pomnilnik

Fujitsu Microelectronics je naznanil, da so podjetja Tokyo Institute of Technology, Fujitsu Laboratories in Fujitsu Limited uspešno izdelala novo različico FeRAM pomnilnika. Prenovljeni “železoelektrični” pomnilnik združuje hitrost DRAM čipov z možnostjo ohranitve zapisa brez t. i. osvežitve, kot je to značilno za SRAM pomnilnike. FeRAM pomnilnik je izdelan iz bizmuta in ferita, kar mu prinaša petkrat višjo kapaciteto shranjevanja podatkov od njegovega predhodnika. Strokovnjakom je uspelo v 65-nm tehnologiji izdelati 256-Mbitno ploščico. Zaradi hitrega branja in shranjevanja podatkov ter nizke porabe električne energije, bodo proizvajalci FeRAM pomnilnik vgrajevali predvsem v prenosne pomnilniške naprave in na matične plošče kot “sredstvo” za hitrejši zagon operacijskega sistema Microsoft Windows Vista. Prvi prototipi “železoelektrični” pomnilnikov naj bi bili nared do leta 2009.

FeRAM pomnilnik kot nadomestek statičnih pomnilniških elementov?