MRAM za procesorje pametnih telefonov
Toshiba je razvila posebno različico energetsko varčnega in zmogljivega pomnilnika MRAM (goo.gl/oxmND), namenjenega procesorjem, ki jih najdemo v pametnih telefonih in tabličnih računalnikih. MRAM bi lahko v mobilnih SoC-ih nadomestil konvencionalni predpomnilnik na osnovi SRAM celic, takšni procesorski sistemi pa bi lahko porabili tudi za dve tretjini manj dragocene energije. Čeprav bodo sprva MRAMi dosegli kapaciteto zgolj nekaj megabajtov, pa pri Toshibi načrtujejo, da bi lahko češ čas s pomočjo nove tehnologije nadomestili tudi standardni delavni pomnilnik kot tudi NAND flash pomnilnike.
MRAM za razliko od sedanjih pomnilnikov, ki za shranjevanje podatkov koristijo električno energijo, uporablja tako imenovano magnetno shranjevanje podatkov. Prav zaradi tega je MRAM neke vrste trajen spomin, ki ohranja podatke tudi takrat ko ni pod napetostjo, poleg tega, pa bo tudi pri višjih hitrostih delovanja porabil zanemarljivo količino energije. Toshiba je v svoji raziskavi (goo.gl/D7t7R) koristila tehnologijo trenutne rotacije, pri kateri se rotacija elektrona koristi za usmeritev magnetnih bitov, s čemer se stroški za prepis podatkov občutno zmanjšajo.
Prijavi napako v članku