Hibridni pomnilnik v treh dimenzijah

IBM in Micron sta začela s proizvodnjo novih spominskih modulov, ki temeljijo na IBM-ovi tehnologiji, katera bi morala zagotoviti do 15-krat boljše zmogljivosti v primerjavi z obstoječimi čipi. Nova tehnologija, ki sta jo predstavili omenjeni podjetji se bo uporabila za proizvodnjo Hybrid Memory Cube čipov, ki jih bo v komercialni različici proizvajal Micron. IBM namerava zagotoviti nadzorno logiko, ki se bo uporabljala tako v čipih kot pri izdelavi le teh v treh dimenzijah. IBM-ova tehnologija se imenuje Through-Silicon Via (TSV), v osnovi pa je govora o vertikalnih vodnikih, ki s pomočjo elektrike povezujejo posamezne plasti čipov. Zaradi možnosti zlaganja posameznih čipov drug na drugega, se TSV pogosto naziva za 3D tehnologijo.

Z uporabo Micronovih najnovejših tehnologij za proizvodnjo DRAM čipov in IBM-ove 3D tehnologije, bo mogoče dosečo do 15-krat večje hitrosti. Čipi Hybrid Memory Cube nudijo hitrosti do 128 gigabajtov na sekundo, medtem ko za primerjavo najboljši spominskih čipi proizvedeni s klasičnimi tehnologijami nudijo hitrosti zgolj do 12,8 Gbps. Novi čipi bodo prav tako porabili do 70% manj energije za prenos podatkov ter ponudili kompaktnejšo obliko, katera bo zasedla le 10% prostora običajnih čipov iste kapacitete. Prvi pomnilniki s tehnologijo Hybrid Memory Cube bodo na voljo že v drugi polovici naslednjega leta.