Brezžičnost za novo generacijo diskov Solid State

Proizvajalci diskov Solid State imajo v rokah bogato paleto postopkov, kako izdelati vse bolj zmogljive in energijsko varčne pomnilniške medije. Odločen korak naprej pri pripravi nove generacije diskov Solid State pa so naredili raziskovalci japonske fakultete Keio, saj so ugotovili, kako koristiti lastno elektromagnetno indukcijo čipov.

S pomočjo novega odkritja so raziskovalci že pripravili prototip diska s pomnilniškimi elementi NAND, kjer so za povezavo štiriinšestdesetih čipov uporabili zgolj dvesto električnih povezav. Pri običajnem proizvodnem postopku bi za enak poseg porabili kar tisoč petsto električnih povezav. S tem so raziskovalci zmanjšali prostor namenjen čipovlju za komunikacijo za kar štiridesetkrat, medtem ko se je poraba dragocene električne energije zmanjšala za dobro polovico.

Prototip novega diska Solid State je bil izdelan s pomočjo 180-nanometrske tehnologije. Raziskovalci japonske fakultete Keio bodo v letošnjem letu poskušali odkriti način, kako brezžično povezavo vgraditi tudi v pomnilniške elemente, izdelane s pomočjo 40-nanometrske tehnologije. Ti so namreč prisotni v večini diskov Solid State, ki so na voljo v prosti prodaji.