Elpida predstavila dve novi tehnologiji za pomnilnike DRAM

Elpida Memory je na simpoziju VLSI Circuits predstavila dve novi tehnologiji, s pomočjo katerih se lahko znatno poveča učinkovitost pomnilnikov DRAM. Prvo tehnologijo, imenovano twin-cell memory, so pri podjetju razvili v sodelovanju s podjetjem Hitachi. Z omenjeno tehnologijo lahko uporablja pomnilnik kar dve pomnilniški celici za obdelavo enega bita, kar skupaj z metodo za povečanje prenosa podatkov (three-stage-sensing), bistveno pohitri njegovo delovanje. Izdelan je bil tudi prvi prototip pomnilnika kapacitete 144 MB, katerega so izdelali v 110-nm tehnologiji. Prototip se je na preizkušnji zelo dobro odrezal, predvsem pa je imel izredno nizke dostopne čase, katere lahko celo primerjamo z dostopnimi časi pomnilnikov SRAM. Druga predstavljena tehnologija omogoča združljivost

Pomnilnik proizvajalca Elpida Memory

DRAM-a kapacitete 1 Gb tako s pomnilniki DDR1 kot tudi s pomnilniki DDR2 in omogoča izdelavo pomnilnikov DDR do frekvence 400 MHz, medtem ko se pomnilniki DDR 2 lahko potijo pri frekvencah do 800 MHz. Predstavljene pomnilnike se bo lahko uporabljalo tako za osebne računalnike kot tudi za strežnike.