Atomska revolucija v pomnilniški tehnologiji

Tekma za hitrejše in učinkovitejše mobilne procesorje je dosegla nov mejnik. Znanstveniki z Univerze Fudan v Šanghaju so predstavili prvi popolnoma funkcionalni 2D flash čip, ki združuje ultrahitro 2D pomnilniško tehnologijo z zrelo CMOS platformo na osnovi silicija.

Naprava podpira 8-bitne ukaze in 32-bitno paralelno obdelavo z naključnim dostopom ter dosega 94,3 odstotni izkoristek pomnilniških celic. Hitrost delovanja presega obstoječe flash tehnologije, kar pomeni prvo uspešno integracijo 2D materialov s silicijem.

V dobi umetne inteligence, kjer je hitrost dostopa do podatkov ključna, ta inovacija rešuje enega največjih izzivov sodobnega računalništva. Predvsem pa počasne in energetsko potratne pomnilniške arhitekture.

Ekipa je že aprila razvila prototip PoX 2D flash pomnilnika, ki je dosegel hitrost zapisovanja 400 pikosekund. Tu gre za najhitrejši zabeležen pomnilniški zapis doslej. Z integracijo v obstoječe CMOS platforme so znanstveniki bistveno skrajšali čas do komercialne uporabe.

Z uporabo fleksibilnih 2D materialov in modularnega pristopa so ustvarili stabilne povezave med 2D vezji in CMOS podlagami na atomski ravni, kar omogoča učinkovito komunikacijo med tehnologijama.

Čip je že zaključil fazo tape-out, v naslednjih treh do petih letih pa načrtujejo pilotno proizvodnjo in razširitev na megabajtni sistem. Po mnenju strokovnjakov bo ta tehnologija najprej komercializirana v pomnilniških napravah, saj zahteva manj stroge proizvodne pogoje, a ponuja izjemne zmogljivosti.