Nova generacija tranzistorjev

Podjetje Intel je najavilo pomemben korak naprej pri razvoju tranzistorjev, mikroskopsko majhnih gradnikov sodobnih elektronskih naprav. Prvič od izuma silicijevih tranzistorjev pred več kot 50 leti, bodo v proizvodnji uporabljeni tranzistorji, ki temeljijo na tridimenzionalni strukturi. Intel bo tridimenzionalno zasnovo tranzistorjev, ki nosijo ime Tri-Gate in so bili predstavljeni leta 2002, prvič vključil v 22-nanometrski čip z razvojnim imenom Ivy Bridge.

Tridimenzionalni tranzistor Tri-Gate predstavlja pomemben korak naprej od dvodimenzionalne strukture tranzistorja, ki se ni uporabljala le v računalnikih, mobilnih telefonih in zabavni elektroniki, temveč tudi v elektronskih elementih avtomobilov, vesoljskih plovil, gospodinjskih aparatov, medicinskih naprav in na tisoče drugih vsakdanjih naprav.

Znanstveniki se že dlje časa zavedajo prednosti tridimenzionalnih struktur, saj so naprave postale tako majhne, da fizikalni zakoni predstavljajo oviro hitremu napredku, ki ga narekuje Moorov zakon. Za podjetje Intel je ključnega pomena, da je tridimenzionalne tranzistorje Tri-Gate uspelo vključiti v proizvodnjo velikih količin procesorjev, s čimer odpira vrata novi generaciji inovacij v številnih napravah.

Moorov zakon je napoved hitrosti razvoja silicijevih tehnologij. Zakon navaja, da se bo gostota tranzistorjev podvojila vsaki dve leti, ob tem pa bodo ob nižji ceni na voljo nove funkcionalnosti in višja zmogljivost. Zakon že več kot 40 let predstavlja osnovo poslovnega modela panoge polprevodnikov.

22-nanometrski tridimenzionalni tranzistorji Tri-Gate pri nizki napetosti zagotavljajo do 37 odstotkov višjo zmogljivost kot 32-nanometrski dvodimenzionalni tranzistorji.