Štirikanalno čipovje za RDRAM pomnilnike

Podjetje SiS (Silicon Integrated Systems) je najavilo novo čipovje SiS R659, ki je namenjeno štirikanalnim RDRAM pomnilnikom. To čipovje je prvo, ki vsebuje dinamični vnaprejši medpomnilnik (dynamic look-ahead buffer) ter prilagodljivo upravljanje strani (adaptive page managment), ki pripomore k večji hitrosti pomnilnika. SiS bo pomnilnik izdelal v navezi z podjetjem Rambus, pri projektu pa sodeluje tudi podjetje Samsung. Pomnilnik podpira Pentium 4 procesorje z 800-MHz prednjim vodilom in podpira tehnologijo Advanced HyperStreaming Engine (AHSE). Čipovje s štirimi kanali 1.200 MHz RDRAM bo podpiralo prepustnost 9,6 GB v sekundi. Razvijalci obljubljajo do 50 odstotkov višje zmogljivosti, resnično zmogljivost pa bo povedala praksa in uporabniki sami.