Miniaturni polprevodniki za pomnilnike izjemnih kapacitete

Skupini južnokorejskih raziskovalcev je uspelo narediti odločen korak naprej na področju izdelave pomnilniških elementov. Strokovnjakom je namreč uspelo izdelati prvi polprevodniški element s pomočjo 10-nm tehnologije, kar je izjemen dosežek. To jim je omogočil poseben material, imenovan “Mott Insulator”, ki lahko samodejno spreminja svojo prevodno lastnost – iz neprevodnika v polprevodnik in obratno. Z uporabo tovrstnih polprevodniških elementov in ogljikovih nanocevk bo mogoče v bližnji prihodnosti izdelati statične pomnilnike s kapaciteto do vrtoglavih 100 GB. Ti pomnilniki bodo namenjeni predvsem Solid State diskom, ki naj bi kmalu prevzeli mesto podatkovnim medijem z magnetnimi ploščami. Miniaturni polprevodniki za pomnilnike izjemnih kapacitet naj bi bili nared za prodajo do leta 2010.

Miniaturni polprevodniki za Solid State diske izjemnih kapacitet.