Hitrejši pomnilnik v mobilnih napravah

Samsung je predstavil nov DRAM čip za mobilne naprave, katerega so preprosto poimenovali kar wide I/O DRAM. Za razliko od običajnih spominskih modulov mobilnih naprav, kateri imajo serijski vmesnik in do 32 pinov za vhod in izhod podatkov, je nova Samsungova rešitev sicer res da prostorsko manj učinkovita, vendar zaradi tega omogoča veliko večje hitrosti prenosa.

Nov DRAM ima vzporedni vmesnik in 512 nožic na čipu (za prenos podatkov, skupaj torej okoli 1.200 pinov), s čemer 1 GB različica doseže hitrosti prenosa v višini 12,8 Gb /s. Za primerjavo, povprečni DDR za mobilne telefone in tablične računalnike zmore hitrosti v višini 1,6 Gb/s, nekoliko hitrejši LPDDR2 pa 3,2 GB/s.

Pri Samsungu trdijo, da omenjena rešitev porabi do 87 odstotkov manj energije kot običajni pomnilniki in ob tem dejali, da bo predstavljena gigabitna različica proizvedena v 50-nanometrski generaciji proizvodnih procesov. Podjetje do leta 2013. načrtuje še predstavitev 4-gigabitne različice, ki bo proizvedena v 20-nanometrskem proizvodnem procesu.